高电子迁移率电晶体
高电子迁移率电晶体(英语:High electron mobility transistor, HEMT),也称调製掺杂场效应管(modulation-doped FET, MODFET)是场效应电晶体的一种,它使用两种具有不同能隙的材料形成异质结,为载流子提供沟道,而不像金属氧化物半导体场效应管那样,直接使用掺杂的半导体而不是结来形成导电沟道。砷化镓、砷镓铝三元化合物半导体是构成这种器件的可选材料,当然根据具体的套用场合,可以有其他多种组合。例如,含铟的器件普遍表现出更好的高频性能,而近年来发展的氮化镓高电子迁移率电晶体则凭藉其良好的高频特性吸引了大量关注。高电子迁移率电晶体可以在极高频下工作,因此在行动电话、卫星电视和雷达中套用广泛。
场效应管
它依靠电场去控制导电沟道形状,因此能控制半导体材料中某种类型载流子的沟道的导电性。场效应电晶体有时被称为“单极性电晶体”,以它的单载流子型作用对比双极性电晶体。由于半导体材料的限制,以及曾经双极性电晶体比场效应电晶体容易製造,场效应电晶体比双极性电晶体要晚造出,但场效应电晶体的概念却比双极性电晶体早。
金属氧化物半导体场效应管
金属氧化物半导体场效电晶体(简称:金氧半场效电晶体;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩写:MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效电晶体。金属氧化物半导体场效应管依照其沟道极性的不同,可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型,通常被称为N型金氧半场效电晶体(NMOSFET)与P型金氧半场效电晶体(PMOSFET)。
以金氧半场效电晶体(MOSFET)的命名来看,事实上会让人得到错误的印象。因为MOSFET跟英文单字“metal(金属)”的第一个字母M,在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效电晶体栅极使用金属作为材料,但由于多晶硅在製造工艺中更耐高温等特点,许多金氧半场效电晶体栅极採用后者而非前者金属。然而,随着半导体特徵尺寸的不断缩小,金属作为栅极材料最近又再次得到了研究人员的关注。
金氧半场效电晶体在概念上属于绝缘栅极场效电晶体(Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET)。而绝缘栅极场效电晶体的栅极绝缘层,有可能是其他物质,而非金氧半场效电晶体使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效电晶体组件时比较喜欢用IGFET,但是这些IGFET多半指的是金氧半场效电晶体。
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